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DMG7430LFG
0.03
2.5
2.0
0.02
0.01
V GS = 4.5V
I D = 10A
V GS = 10 V
I D = 20A
1.5
1.0
0.5
I D = 250μA
I D = 1mA
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
30
Fig. 10 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 11 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
2,000
1,800
f = 1MHz
25
20
1,600
1,400
1,200
C iss
15
10
T A = 25°C
1,000
800
600
5
400
200
C oss
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
0
C rss
5 10 15 20 25
30
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig.12 Diode Forward Voltage vs. Current
10
9
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 13 Typical Junction Capacitance
1,000
T A = 150°C
8
V DS = 15V
I D = 12 A
7
100
T A = 125°C
6
5
4
T A = 85°C
3
10
T A = 25°C
2
1
1
0
10
20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 14 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
POWERDI is a registered trademark of Diodes Incorporated
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 15 Gate Charge
DMG7430LFG
Document number: DS35497 Rev. 5 - 2
5 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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